编程器NAND Flash 技术入门

2017-08-03 09:50:58 leap2012 362

 

NAND Flash分类

 

SLC(Single-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存1bit data

MLC(Multi-Level Cell)架构:单一储存单元(Cell)可储存2bit data 

 

SLC

「Small page (528 Byte)Large page (2112 Byte)」

 

在每个储存单元(Cell)内储存1个资讯位元(bit),称为单阶储存单元(single-level cell, SLC),使用这种储存单元的快闪记忆体也称为单阶储存单元快闪记忆体(SLC flash memory),或简称SLC快闪记忆体。SLC快闪记忆体的优点是传输速度更快,功率消耗更低和储存单元的寿命更长。然而,由于每个储存单元包含的资讯较少,其每百万位元组需花费较高的成本来生产。

 

Small page (SLC) : 1 page =512 + 16 bytes

 

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Large page (SLC) : 1 page =2048 + 64 bytes

 

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MLC

「Large page (2112 Byte)Large page (4224 Byte)」

 

 

多阶储存单元快闪记忆体(Multi-level cell flash memory, MLC flash memory)可以在每个储存单元内储存2个以上的资讯位元 ,其「多阶」指的是电荷充电有多组电压值,如此便能储存多个位元的值于每个储存单元中。因为每个储存单元可储存更多的位元,所以MLC快闪记忆体的每单位储存成本较为低廉。早期比起SLC快闪记忆体,MLC传输速度较慢,功率消耗较高和储存单元的寿命较低为其缺点,但科技日新月异,良率问题持续改善,现今市面上的NAND Flash多数都为MLC架构。

 

Large page (MLC 2K/Page) : 1 page =2048 + 64 bytes

 

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Large page (MLC 4K/Page) : 1 page =4096 + 128 bytes

 

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NAND Flash 资料结构

 

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NAND Flash Invalid Block 

 

NAND Flash 在出厂时都会作严格的测试编程,以确认每一个Block(区块、轨区)是否正常,测试不通过的Block 会被标上记号,这些Block 就叫 Initial Invalid Block(潜在的Bad Block)。这些 Initial Invalid Block的资讯很重要,不可以轻易删除,因为有些Block经过Erase后Invalid block 的资讯就会不见,这时使用者自己使用编程器或烧录器厂商都是无法再找出这些 Invalid block 。Invalid Block 的标示位置,在SLC、MLC 上会不一样需注意(厂牌不同也会有差异)。

 

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