编程器NAND Flash 技术入门2 -Bad Block Management

2017-08-03 09:51:35 leap2012 311

 

NAND Flash 技术入门2 -Bad Block Management

 

Bad Block Management;BBM,坏轨管理-即控制IC的故障区块管理机制,是用来侦测并标示NAND Flash中的坏轨,避免资料存入坏轨中,用以提升资料存取的可靠性。

 

NAND Flash中的坏轨可分为Early Bas Block与Latter Bad Block。Early Bad Block是NAND Flash在制造过程中,因制程或技术因素所产生的故障区块,一般约占NAND Flash总容量的1%以内;Latter Bad Block则是在NAND Flash被使用的过程中所产生,一般被IC业者控制在NAND Flash总容量的5%以内。

 

NAND Flash首次被启用时,控制IC的故障轨区管理程式会逐一检查NAND Flash内每个区块,若有发现坏轨,便将之记录至Bad Block Table;BBT(故障区块表)中,以防止日后资料被写入这些坏轨中。

 

建立BBT后,随著NAND Flash在使用的过程中,如果有区块在抹写时发生错误,同样也会被记录至BBT中,并将抹写失败的资料内容重新移植到新的有效区块中,以避免因抹写过程的错误导致资料流失或资料异常。

 

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