NAND Flash 技术入门2 -Bad Block Management
Bad Block Management；BBM，坏轨管理-即控制IC的故障区块管理机制，是用来侦测并标示NAND Flash中的坏轨，避免资料存入坏轨中，用以提升资料存取的可靠性。
NAND Flash中的坏轨可分为Early Bas Block与Latter Bad Block。Early Bad Block是NAND Flash在制造过程中，因制程或技术因素所产生的故障区块，一般约占NAND Flash总容量的1%以内；Latter Bad Block则是在NAND Flash被使用的过程中所产生，一般被IC业者控制在NAND Flash总容量的5%以内。
NAND Flash首次被启用时，控制IC的故障轨区管理程式会逐一检查NAND Flash内每个区块，若有发现坏轨，便将之记录至Bad Block Table；BBT(故障区块表)中，以防止日后资料被写入这些坏轨中。
建立BBT后，随著NAND Flash在使用的过程中，如果有区块在抹写时发生错误，同样也会被记录至BBT中，并将抹写失败的资料内容重新移植到新的有效区块中，以避免因抹写过程的错误导致资料流失或资料异常。
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